Élément de physique des composants électronique
Examen S4 (2024-2025)
Please sign-in to continue.
Sign in to Google to save your progress. Learn more
Email *
La bande interdite (Eg​) d’un semi-conducteur est plus grande que celle d’un isolant. *
1 point
Le courant de collecteur IC​ d’un transistor en mode actif dépend de la tension VCE​.

 *
1 point
Le dopage N d’un semi-conducteur consiste à ajouter :
1 point
Clear selection
En polarisation directe d’une jonction PN : 
1 point
Clear selection
Qu'est-ce qu'un semi-conducteur ? 
 *
1 point
Quel est l'effet du dopage sur un semi-conducteur ?  
1 point
Clear selection
Un semi-conducteur intrinsèque est  : *
1 point
On obtient un semi conducteur de type N en dopant le silicium : *
1 point

Qu'est-ce qu'un transistor ? 

1 point
Clear selection

Quel est l'un des principaux avantages des transistors à effet de champ (FET) par rapport aux transistors bipolaires ? 

 *
1 point
Quelle est la principale limitation des composants électroniques en termes de miniaturisation ?
 *
1 point
On obtient un semi conducteur de type P en dopant le silicium :
 *
1 point
L'application d'un champ électrique de faible amplitude à un barreau  de silicium engendre : *
1 point
Le courant de saturation d'une diode à jonction PN : *
1 point
Le  terme transistor résulte de la combinaison : *
1 point
Un transistor est polarisé normalement si  : *
1 point
Le régime normal inverse d'un transistor bipolaire : *
1 point
Quel est l'un des défis majeurs pour les composants électroniques en termes de vitesse de commutation ?
*
1 point
Qu'est-ce que la dopage dans le contexte des semi-conducteurs ?
*
1 point
Quel est l'un des principaux défis pour les semi-conducteurs en termes de dissipation de chaleur ?
*
1 point
Submit
Clear form
Never submit passwords through Google Forms.
This content is neither created nor endorsed by Google. - Terms of Service - Privacy Policy

Does this form look suspicious? Report

Google Forms